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第１企画委員会ホームページ |
| 日本材料科学会主催 平成14年度学術講演大会プログラム |
| 学術講演 テーマ |
機能材料と材料評価 | |
| 特別講演 テーマ |
ウクライナの印象（元 金属材料技術研究所） 冨塚 功 | |
| 日 時 | 平成14年5月31日(金) 9：00～17：30 | |
| 主 催 | 日本材料科学会 (東京都千代田区四番町8-1 （株）裳華房内) | |
| 会 場 | 工学院大学２８階第１，第２会議室(東京都新宿区西新宿1-24-2) | |
| 参 加 費 | 4,000円（含予稿集代） 但し，登壇学生(院，学部)は3,000円 (私費参加学生は2,000円，登壇学生以外は無料)予稿集代1,000円 | |
| プログラム | ||
| 01.
[9:00-9:10] 単結晶MnZnフェライトのパルスレーザ加工特性 (千葉工大 院，工＊，能開大＊＊) ○長 三男，宮﨑俊行＊，吉岡俊朗＊，三須直志＊，片岡義博＊＊ 02. [9:10-9:20] pH指示薬を用いたプラスチックへの環境液浸入の検知 (東工大 院 工) ○有松洋志，劉 宇 艶，冨山禎仁，仙北谷英貴，久保内昌敏，津田 健 03. [9:20-9:30] 気相合成法によるダイヤモンド・メッシュ (Diamond Mesh) の作製（第２報） （工学院大 工) ○吉江 治 04. [9:30-9:40 ] MOSゲート電極材料としてのin-situ Ｂドープpoly-SiGeの電気的特性 (慶應大 理工) ○横山成之，岸 和宏，桑野 博 05. [9:40-9:50 ] Ptドープシリコン中水素関連欠陥の形成過程 ( 慶應大 理工，新電元工業研究開発センタ＊) ○宮本幸伸，八郷豪人，松山一茂＊，桑野 博 06. [9:50-10:00] 3He2+イオン注入および熱処理によるSi中Pt準位濃度の局所化 (慶應大 理工，新電元工業研究開発センタ＊) ○迎 秀嗣，長谷川宗史，松山一茂＊，清水隆史＊，桑野 博 07. [10:00-10:10] RFプラズマCVDによるヨウ素含有炭素の作製 (千葉工大 院，工＊) ○内山剛史，坂本幸弘＊，高谷松文＊ 08. [10:10-10:20] ヨウ素化合物を担持したTi陽極酸化膜の摩擦・摩耗特性 (千葉工大 院，工＊) ○上杉 崇，高谷松文＊，坂本幸弘＊，大谷 親＊，橋本和明＊ 09. [10:20-10:30] 各種薄膜付与材の高温・高圧水環境下における腐食劣化過程 （工学院大 院，工＊） ○神谷忠孝，木村雄二＊，大畑宙生＊ [10:30-10:40] 休憩 10. [10:40-10:50] 高マンガン鋳鋼のレーザビーム穴あけ加工 (能開大，川内能開短大＊，千葉工大＊＊) ○片岡義博，徳永 剛，芦中辰也＊，宮﨑俊行＊＊ 11. [10:50-11:05] ジルコニア系高速超塑性体の作製 (物質・材料研究機構) 〇目 義雄，鈴木 達，石井辰則，森田孝治，平賀啓二郎 12. [11:05-11:20] 強磁場中スリップキャストによる非磁性セラミックスの配向 (物質・材料研究機構) 〇目 義雄，鈴木 達，田辺直樹 13. [11:20-11:35 ] 鉛を含む黄銅のリサイクル (鹿大 院，科技特＊，鹿大 院 工＊＊) 山田 宏作，○末廣 真一，中野 敦， ヌルル タウフィック ロッチャマン＊，末吉 秀一＊＊ 14. [11:35-11:50] Vaを変化させた室温パルス電着CdS薄膜の作製と評価 (慶應大 理工) ○真垣葉子， 武藤準一郎 15. [11:50-12:00] 表面ナノ粗さをもつ真空摺動材料の摩擦に及ぼす凝着力の影響 (物質・材料研究機構) ○笠原 章，後藤真宏，土佐正弘，吉原一紘 [12:00-12:30] 総会 [13:30-14:00] 特 別 講 演 『ウクライナの印象』 （元 金属材料技術研究所） 冨塚 功 16. [14:00-14:10] 低エネルギーAuクラスター堆積初期過程の分子動力学シミュレーション (電通大 知能機械) 中島隆明，大場正士，○新谷一人 17. [14:10-14:20] 人工鉱物Mg3B2O6の合成と評価 (慶應大 理工) ○畠澤 崇，神原陽一，岡田悟志，的場正憲 18. [14:20-14:35] 環境に優しい酸化物CuFeO2の熱電特性と磁性に対する不純物ドーピング効果 (慶應大 院 理工) ○榎本康太郎，岡部博孝，的場正憲 19. [14:35-14:45 ] カフェイン吸着能を有する吸着剤の合成と吸着特性 (神奈川工大 院，工＊) ○梶谷英之，三好利昌，市川貴生＊，加藤広美＊，斎藤 貴＊ 20. [14:45-14:55] ガーネット固溶体単結晶の屈折率と誘電率 (物質・材料研究機構) ○宮崎昭光，木村秀夫 21. [14:55-15:05] 還元窒化反応による窒化チタンウィスカーの合成 (新潟大 工) ○米澤 歴，堀田憲康，細道善文，西沢 崇 22. [15:05-15:15] チタン酸カリウム繊維の還元窒化反応 (新潟大 工) 堀田憲康，西沢 崇，細道善文，米澤 歴 23. [15:15-15:30] p型Si中におけるイオン照射欠陥の特性解析 (慶應大 理工) ○岩田旬史，荻窪真也， 太田英二 24. [15:30-15:45] Ag2Te薄膜の作成と電気的特性 (慶應大 院 理工) ○吉田浩之，太田英二 25. [15:45-16:00] Au/SiO2/n-Si MOS構造における界面準位のSP-DLTS解析 (慶應大 院 理工) ○荻窪真也，岩田旬史，太田英二 [16:00-16:15] 休 憩 26. [16:15-16:25] GaAs(001)表面上でのトリスジメチルアミノアルセニック（TDMAAｓ）の吸着と分解 (静岡大 電子研，JRCAT＊，宮崎大 工＊＊) ○福田安生，吉田浩章，倉持宏美＊，尾関雅志＊＊ 27. [16:25-16:40] フェライト鋼のひずみ時効特性に及ぼす合金元素添加の影響 (物質・材料研究機構) ○阿部太一，小野寺秀博 28. [16:40-16:50] 非弾性電子トンネル分光法(IETS)による金属酸化物薄膜の表面酸強度の評価 (電通大 電通) ○Halal El Mouloudi，土師英樹，大家明広，伊理武男 29. [16:50-17:00] PVD－TiN被覆窒化ケイ素のトライボロジー特性 （横浜国大） ○鈴木 晋，多々見純一，米屋勝利，目黒竹司，小豆島明 30. [17:00-17:10] スピネル型酸化物Mn(1.5-0.25X)CoNi(0.5+0.25X)O4の焼結体作製と電気的特性 （横浜国大） 久安武志，横山 隆，目黒竹司，多々見純一，米屋勝利 31. [17:10-17:20] ガラス状炭素のBoudouard反応速度の解析 （横浜国大） ○平崎哲郎，目黒竹司，多々見純一，米屋勝利 32. [17:20-17:30] Boudouard反応を利用した活性炭素内微細孔隙の高ポテンシャル化 （横浜国大） ○中川俊宏，目黒竹司，多々見純一，米屋勝利 | ||
| 問 合 先 |
千葉工業大学 精密機械工学科 宮﨑
俊行 | |
（平成14年5月1日更新）